收藏本站
DMN5L06WK
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T ch , CHANNEL TEMPERATURE (°C)
Fig. 3 Gate Threshold Voltage vs. Channel Temperature
10
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
10
1
0
I D, DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current
V GS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
DMN5L06WK
Document number: DS30928 Rev. 8 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2014
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN601DMK-7 MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26
DMN601DWK-7 MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363
DMN601K-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
DMN601TK-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
DMN601VK-7 MOSFET N-CH DL 60V 250MW SOT-563
DMN601WK-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3
DMN6040SFDE-7 MOSF N CH 60V 5.3A U DFN2020-6E
DMN6040SSD-13 MOSFET N CH 60V 5A SO-8
相关代理商/技术参数
DMN600V 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN600V-7 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN601DMK 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN601DMK_07 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN601DMK-7 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN601DWK 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN601DWK_07 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN601DWK-7 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube